[实用新型]一种屏蔽栅功率MOS的器件有效
| 申请号： | 201821774060.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN210092093U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;吴玉舟;王为;谢驰 | 申请（专利权）人： | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市市辖区国家高新技术*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 功率 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种屏蔽栅功率MOS器件，包括金属化漏端电极(1)、N+衬底(2)和位于N+衬底(2)上方的N-外延层(3)，其特征在于：所述N-外延层(3)上部两侧为P型体区(4)，所述P型体区(4)中设置有相互独立的N+源区(5)，在N-外延层(3)上表面刻蚀形成沟槽后氧化形成底部氧化层(6)，底部氧化层(6)下部淀积不掺杂多晶硅并刻蚀形成屏蔽栅(7)，再淀积氧化层形成层间氧化层(8)，在氧化层(6)上端再热生长栅氧化层(9)，再次淀积重掺杂多晶硅形成栅极(10)，在P型体区(4)上端面依次淀积硼磷硅玻璃(11)和上表面金属化源极(12)；所述屏蔽栅(7)是不掺杂的多晶硅，且电位浮空，不与源极(12)形成电连接。
2.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅功率MOS器件，其特征在于：该屏蔽栅功率MOS器件适用于P沟道屏蔽栅功率MOS器件。
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