[实用新型]发光芯片有效
| 申请号： | 201821652707.0 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN208938999U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 魏振东;李俊贤;刘英策;周弘毅;邬新根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一发光芯片，其包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极，所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，且所述钝化层的N型焊盘通道和所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的第一通道和所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的P型焊盘通道和第二通道对应于所述P型半导体层；所述N型电极和所述P型电极分别层叠于所述钝化层，并且所述N型电极电连接于所述N型半导体层，所述P型电极电连接于所述P型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 外延叠层 发光芯片 电连接 穿孔 裸露 本实用新型 钝化 源区 延伸 | ||
【主权项】：
1.一发光芯片，其特征在于，包括：一外延叠层，其中所述外延叠层包括一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述衬底，所述有源区层叠于所述N型半导体层，所述P型半导体层层叠于所述有源区，其中所述外延叠层具有一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔相互间隔，并分别自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层；一钝化层，其中所述钝化层具有一N型焊盘通道、至少一第一通道、一P型焊盘通道以及至少一第二通道，其中所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，其中所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述外延叠层的所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的所述第一通道和所述外延叠层的所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道对应于所述外延叠层的所述P型半导体层；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极层叠于所述钝化层，并且所述N型电极经所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述第一通道延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极层叠于所述钝化层，并且所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道被电连接于所述P型半导体层。
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