[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821545377.5 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208923087U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，其半导体衬底中形成有U型鳍片，所述U型鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两端上的竖直鳍片部，所述U型鳍片的两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，所述水平鳍片部中形成有第二源/漏区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源/漏区；所述竖直鳍片部的侧壁上环绕有栅极，由此可以基于一个U型鳍片形成两个环栅晶体管，有利于增加栅极对沟道的控制力以及有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直鳍片 鳍片 鳍片部 半导体器件 方向延伸 源/漏区 有效沟道长度 本实用新型 短沟道效应 竖直设置 集成度 顶端部 控制力 晶体管 侧壁 衬底 沟道 环栅 界定 半导体 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有至少一个U型鳍片，所述U型鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两端上的竖直鳍片部，所述U型鳍片的两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，所述水平鳍片部中形成有第二源/漏区，每个所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源/漏区；以及栅极，环绕在所述竖直鳍片部的侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
