[实用新型]一种纳米级结构疏水防水膜有效
| 申请号： | 201821542815.2 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208791749U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨福年;郑锡文 | 申请（专利权）人： | 东莞市和域战士纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/513 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙) 44351 | 代理人： | 韩绍君 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种纳米级结构疏水防水膜，在PCB电路板表层从内向外依次设置有第一氟碳乙烯基硅烷防水等离子纳米镀膜层、PEVCD气相沉积聚苯乙烯纳米薄层、纳米防水膜层、氮化硅防水镀膜层和第二氟碳乙烯基硅烷防水等离子纳米镀膜层。本实用新型采用反复进行PECVD多次镀膜而在PCB电路板产品表面沉积不同结构的等离子纳米结构防水膜，具有良好的防水性、疏水性、透气性、抗脏污性、耐盐雾、耐酸碱、导电作用，膜层的厚度为纳米级薄膜，防水等级为八级以上，不容易击穿，导电性好，不影响产品本身的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 防水膜 防水 本实用新型 纳米镀膜层 纳米级结构 乙烯基硅烷 氟碳 疏水 聚苯乙烯纳米 导电性 纳米级薄膜 产品表面 导电作用 防水镀膜 防水膜层 纳米结构 气相沉积 依次设置 影响产品 氮化硅 防水性 耐酸碱 耐盐雾 疏水性 透气性 薄层 镀膜 击穿 膜层 脏污 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种纳米级结构疏水防水膜，其特征在于，在PCB电路板表层从内向外依次设置有第一氟碳乙烯基硅烷防水等离子纳米镀膜层、PEVCD气相沉积聚苯乙烯纳米薄层、纳米防水膜层、氮化硅防水镀膜层和第二氟碳乙烯基硅烷防水等离子纳米镀膜层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
