[实用新型]发光二极管的半导体芯片及其量子阱层有效
| 申请号： | 201821518538.1 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN208938996U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;尧刚;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱层 半导体芯片 发光二极管 量子垒 量子阱 依次层叠 电连接 衬底 本实用新型 生长压力 光效 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的半导体芯片，其特征在于，包括：一衬底；一N型氮化镓层，其中所述N型氮化镓层层叠于所述衬底；一量子阱层，其中所述量子阱层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同；一P型氮化镓层，其中所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层；一N型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型氮化镓层；以及一P型电极，其中所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。
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