[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821504075.3 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN208655649U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，通过将多晶硅栅极堆叠于金属栅极上方来形成复合栅极，可以改善复合栅极与源极、漏极重叠区域的电场分布，由此，能够兼容金属栅极和多晶硅栅极的优点，在保证栅极具有低电阻值的情况下，还能够降低栅极与源极、漏极重叠区域的漏电流，以提高器件效能及可靠度。进一步地，使得所述导线下方的第一导电接触结构为主要由金属层和多晶硅层堆叠的复合结构，能够降低接触电阻，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 多晶硅栅极 复合栅极 金属栅极 重叠区域 堆叠 漏极 源极 导电接触结构 降低接触电阻 本实用新型 电场分布 多晶硅层 复合结构 器件效能 器件性能 低电阻 金属层 可靠度 漏电流 兼容 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有栅极沟槽的半导体衬底；金属栅极，填充于所述栅极沟槽中，且所述金属栅极的高度小于所述栅极沟槽的深度；以及，多晶硅栅极，填充于所述栅极沟槽中，且所述多晶硅栅极堆叠于所述金属栅极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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