[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821504048.6 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN208655648U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，通过将金属接点和多晶硅接点依次堆叠而形成位元线与半导体衬底(即源/漏区)之间的复合接点，可以降低位元线与半导体衬底(即源/漏区)之间的接触电阻，还能够避免现有技术中当位元线下方基本上是多晶硅接点时，所述多晶硅接点在形成过程中因受到侧向刻蚀而导致中段处截面积变小、阻值升高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅接点 位元线 半导体器件 源/漏区 衬底 半导体 本实用新型 侧向刻蚀 复合接点 接触电阻 金属接点 中段处 变小 堆叠 升高 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有栅极的半导体衬底；金属接点，位于所述栅极一侧的半导体衬底上；第一多晶硅接点，层叠于所述金属接点上；以及，位元线，层叠于所述第一多晶硅接点上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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