[实用新型]超薄型加热盘有效
申请号: | 201821503186.2 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN208923036U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 马国洋;何木春;周伟权;李佩珊;陈奕翔;李承峯 | 申请(专利权)人: | 天虹科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324;H05B3/20 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;袁颖华 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种超薄型加热盘,包括一上盖、一下盖、一加热线圈、一热电偶及两绝缘层,该上盖的底面具有一容槽,该下盖封盖住该容槽,该加热线圈设于该容槽之中且设计成布满该容槽的所有区域的形状,其两端分别接设有两电极供用于分别导入正、负电流,该热电偶设于该容槽之中供侦测该加热线圈的温度,并连接有两连接器供用于将侦测的温度信息传送出去,该两绝缘层设于该容槽之中且分别位于该加热线圈的上、下侧面与该上盖及下盖之间;藉由上述结构可将多片超薄型加热盘整合在一个狭小的晶圆载入反应室中以对多片晶圆同时加热以提高产能。 | ||
搜索关键词: | 容槽 加热线圈 超薄型 加热盘 上盖 绝缘层 热电偶 多片 晶圆 下盖 侦测 连接器 温度信息 反应室 负电流 下侧面 电极 产能 底面 封盖 整合 加热 传送 载入 | ||
【主权项】:
1.一种超薄型加热盘,其特征在于,其包括:一上盖,由金属材质制成,底面具有一容槽;一下盖,由金属材质制成,能与该上盖结合以封盖住该容槽;一加热线圈,设于该容槽之中,且设计成布满该容槽所有区域的形状以使其具有较好的热均匀度,该加热线圈的两端分别接设有两电极,该两电极供分别连接外部的电线以导入正、负电流;一热电偶,设于该容槽之中,可供侦测该加热线圈产生的温度,该热电偶并连接有两连接器供用于导接外部的传输线,以将其侦测的温度信息传送出去;以及两绝缘层,设于该容槽之中,且分别位于该加热线圈的上侧面与该上盖以及该加热线圈的下侧及该下盖之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造