[实用新型]一种高压硅堆的绝缘防水结构有效

专利信息
申请号: 201821468996.9 申请日: 2018-09-10
公开(公告)号: CN209282187U 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 窦玉岭 申请(专利权)人: 天津芯斯通达电子科技有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/31;H01L23/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300000 天津市南开区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型公开了一种高压硅堆的绝缘防水结构,包括连接线、二极管芯片、保护层、引线、外壳、绝缘线套、挡环、第一防水膜、第二防水膜和高分子吸水树脂,连接线外侧串联有多个二极管芯片,连接线外侧固定有保护层,连接线两端对称固定有引线,保护层外侧固定有外壳,且引线穿过外壳暴露在空气中,引线外侧套设有绝缘线套,绝缘线套靠近外壳的一端与外壳固定连接,引线靠近外壳的一端外侧固定有挡环,外壳内部两端对称开设有放置槽,且挡环在放置槽内部,放置槽呈环形设置,此高压硅堆的绝缘防水结构可使高压硅堆绝缘,防止水流流进保护层内对二极管芯片造成破坏,并且对外壳进行固定,防止引线断裂和松动。
搜索关键词: 连接线 高压硅堆 保护层 绝缘 二极管芯片 防水结构 绝缘线套 放置槽 挡环 两端对称 防水膜 高分子吸水树脂 本实用新型 环形设置 外壳固定 外壳内部 松动 串联 断裂 穿过 暴露
【主权项】:
1.一种高压硅堆的绝缘防水结构,包括连接线(1)、二极管芯片(2)、保护层(3)、引线(4)、外壳(5)、绝缘线套(6)、挡环(7)、第一防水膜(9)、第二防水膜(10)和高分子吸水树脂(11),其特征在于:所述连接线(1)外侧串联有多个二极管芯片(2),所述连接线(1)外侧固定有保护层(3),所述连接线(1)两端对称固定有引线(4),所述保护层(3)外侧固定有外壳(5),且引线(4)穿过外壳(5)暴露在空气中,所述引线(4)外侧套设有绝缘线套(6),所述绝缘线套(6)靠近外壳(5)的一端与外壳(5)固定连接,所述引线(4)靠近外壳(5)的一端外侧固定有挡环(7),所述外壳(5)内部两端对称开设有放置槽(8),且挡环(7)在放置槽(8)内部,所述放置槽(8)呈环形设置,所述放置槽(8)内壁和挡环(7)外侧分别固定有第一防水膜(9)和第二防水膜(10),所述第一防水膜(9)靠近二极管芯片(2)的一端和第二防水膜(10)靠近二极管芯片(2)的一端固定连接,且第一防水膜(9)和第二防水膜(10)靠近二极管芯片(2)的一端与引线(4)接触,所述第一防水膜(9)和第二防水膜(10)之间填充有高分子吸水树脂(11),且第一防水膜(9)和第二防水膜(10)远离二极管芯片(2)的一端的高分子吸水树脂(11)与引线(4)接触。
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