[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件，通过在第一掺杂区上形成信号传输结构，所述信号传输结构包括接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述接触导电层防止所述第一掺杂区直接与所述传输导电层接触，其电阻率通常较所述传输导电层的电阻率大，但由于所述接触导电层低于所述衬底的顶表面，通过减小所述接触导电层的厚度来降低所述信号传输结构的接触电阻，增大了流过所述信号传输结构的电流，从而提高了半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有第一掺杂区；以及，信号传输结构，所述信号传输结构位于所述衬底上并部分延伸进所述衬底内部，以与所述第一掺杂区电连接；其中，所述信号传输结构包括形成在所述第一掺杂区上的接触导电层及覆盖所述接触导电层的传输导电层，所述传输导电层的电阻率小于所述接触导电层的电阻率，且所述接触导电层的顶表面低于所述衬底的顶表面，以使所述信号传输结构的所述传输导电层嵌入至所述衬底中并和所述接触导电层电连接。