[实用新型]一种小封装大电流的整流桥芯片

摘要

本实用新型公开了一种小封装大电流的整流桥芯片，包括正芯片区和与之连接的倒芯片区,正芯片区由下到上依次为重掺衬底、轻掺磷层和掺硼层，所述倒芯片区由上到下依次为重掺衬底、轻掺磷层和掺硼层，所述正芯片区上表面设有三个贯穿至重掺衬底的深槽，倒芯片区上表面设有三个贯穿至掺硼层的深槽，正芯片区和倒芯片区连接处设有开口向下的中深槽，倒芯片区靠近自由端处设有开口向下的边深槽，所述深槽、中深槽和边深槽内均设有绝缘介质层，重掺衬底和掺硼层裸露在外的部分表面均设有金属层，正芯片区的下表面的金属层作为正极，倒芯片区的下表面的金属层作为负极。桥臂上四个二极管的一致性好，封装过程简单，且小封装可以做更大电流的产品。

主权项

1.一种小封装大电流的整流桥芯片，其特征在于，包括正芯片区和与之连接的倒芯片区，所述正芯片区由下到上依次为重掺衬底、轻掺磷层和掺硼层，所述倒芯片区由上到下依次为重掺衬底、轻掺磷层和掺硼层，所述正芯片区上表面设有三个贯穿至重掺衬底的深槽，所述倒芯片区上表面设有三个贯穿至掺硼层的深槽，所述正芯片区和倒芯片区连接处设有开口向下的中深槽，所述倒芯片区靠近自由端处设有开口向下的边深槽，所述深槽、中深槽和边深槽内均设有绝缘介质层，所述深槽、中深槽和边深槽内的绝缘介质层均向槽口外延伸，所述正芯片区最右边深槽和倒芯片区最左边的深槽中的绝缘介质层连接，所述重掺衬底和掺硼层裸露在外的部分表面均设有金属层，所述正芯片区的下表面的金属层作为正极，所述倒芯片区的下表面的金属层作为负极。