[实用新型]一种低电容低箝位电压的水平TVS结构有效
| 申请号： | 201821332897.8 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN208637422U | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陆亚斌;吴昊;王成 | 申请（专利权）人： | 傲威半导体无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了低电容瞬态电压抑制器技术领域的一种低电容低箝位电压的水平TVS结构，包括有源区，所述有源区包括四组开关管与TVS管，所述TVS管设置在有源区的中间区域，四组所述开关管均匀设置在TVS管的左右两侧，四组所述开关管与TVS管之间的间隔处均设置深槽，所述TVS管包括NWL掺杂区与PWL掺杂区，四组所述开关管与TVS管通过金属电性连接，即使外延的电阻率很高，也不会对箝位电压造成很大的影响，所以这种利用表面结构设计的实用新型的箝位电压会很低，确保了TVS结构的低电容，低箝位电压。 | ||
| 搜索关键词： | 箝位电压 低电容 开关管 源区 掺杂区 瞬态电压抑制器 本实用新型 表面结构 均匀设置 中间区域 左右两侧 电阻率 间隔处 金属电 组开关 深槽 | ||
【主权项】：
1.一种低电容低箝位电压的水平TVS结构，包括有源区(1)，其特征在于：所述有源区(1)包括四组开关管(2)与TVS管(3)，所述TVS管(3)设置在有源区(1)的中间区域，四组所述开关管(2)均匀设置在TVS管(3)的左右两侧，四组所述开关管(2)与TVS管(3)之间的间隔处均设置深槽，所述TVS管(3)包括NWL掺杂区(32)与PWL掺杂区(31)，四组所述开关管(2)与TVS管(3)通过金属电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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