[实用新型]一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的散热装置有效
| 申请号： | 201821328776.6 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN208848891U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈国喜;吴红 | 申请（专利权）人： | 深圳市桑达无线通讯技术有限公司;中国铁道科学研究院集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的散热装置，包括LDMOS、印制电路板(PCB)和金属片；PCB板上有通孔，LDMOS半嵌入在PCB板的通孔上，LDMOS的正面凸出PCB板正面；PCB板反面采用金属片与LDMOS的底面连接。该散热装置将LDMOS常用的辐射散热方式转换为热传导散热方式，在相同散热面积下，热传导的散热方式比热辐射的散热效率高，散热快，散热效率大大增强；采用SMT工艺，生产的一致性比传统的组装方式得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 散热装置 横向扩散金属氧化物半导体 散热方式 散热效率 金属片 热传导 散热 通孔 本实用新型 印制电路板 比热 凸出 方式转换 辐射散热 组装方式 传统的 底面 嵌入 辐射 生产 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的散热装置，其特征在于，包括LDMOS、印制电路板(PCB)和金属片；PCB板上有通孔，LDMOS半嵌入在PCB板的通孔上，所述LDMOS的正面凸出所述PCB板正面；所述PCB板反面采用所述金属片与所述LDMOS的底面连接。
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