[实用新型]一种穿通型低电容瞬态电压抑制器

摘要

本实用新型公开了一种穿通型低电容瞬态电压抑制器，包括N型浓掺杂衬底、ILD介质层和深槽隔离，N型浓掺杂衬底包括背面金属层、负向低电容导向管区域和NPN穿通型通流TVS管区域，负向低电容导向管区域包括负向低电容导向管，N型浓掺杂衬底上生长一层P型轻掺杂高阻外延层，P型轻掺杂高阻外延层表面掺杂P型基区，P型基区掺杂NPN集电极区域。用于半导体技术领域。其优点主要表现为：本实用新型的启动电压(穿通电压或击穿电压)大大降低，钳位电压也相应地降低，另外，低电容TVS由于芯片面积小，各种封装形式的兼容性高，可以适合DFN0.6x0.3及以下尺寸的封装，同时也可以做成双向低电容TVS用于差模保护，可靠性高，适用性广，不仅如此，本实用新型所述的制作方法可以方便地调整通流NPN管的触发电压和穿通电压，来满足客户差异化工作电压的要求，适应各种客户端的应用，同时成本可控。

主权项

1.一种穿通型低电容瞬态电压抑制器，其特征在于：包括N型浓掺杂衬底、ILD介质层和深槽隔离，所述N型浓掺杂衬底包括背面金属层、负向低电容导向管区域和NPN穿通型通流TVS管区域，所述负向低电容导向管区域包括负向低电容导向管，所述N型浓掺杂衬底上生长一层P型轻掺杂高阻外延层，所述P型轻掺杂高阻外延层表面掺杂P型基区，所述P型基区掺杂NPN集电极区域。