[实用新型]半导体掩膜层结构有效
| 申请号： | 201821283216.3 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN208589409U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴晗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路领域，公开一种半导体掩膜层结构，包括：掩膜层，所述掩膜层具有孔洞图形，所述孔洞图形包括第一孔洞图形阵列和第二孔洞图形阵列，所述第一孔洞图形阵列包括多个重复单元区，每个重复单元区被定义为从垂直于所述掩膜层的表面的纵向观察由三个或三个以上第一孔洞图形为边角点围成的多边形区域，所述第二孔洞图形阵列包括位于所述重复单元区的中心处的第二孔洞图形。 | ||
| 搜索关键词： | 孔洞图形 掩膜层 半导体掩膜 层结构 半导体集成电路 多边形区域 纵向观察 中心处 边角 垂直 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体掩膜层结构，其特征在于，包括：掩膜层，所述掩膜层具有孔洞图形，所述孔洞图形包括第一孔洞图形阵列和第二孔洞图形阵列，所述第一孔洞图形阵列包括多个重复单元区，每个重复单元区被定义为从垂直于所述掩膜层的表面的纵向观察由三个或三个以上第一孔洞图形为边角点围成的多边形区域，所述第二孔洞图形阵列包括位于所述重复单元区的中心处的第二孔洞图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
