[实用新型]电容介质结构及电容器阵列结构

摘要

本实用新型提供了一种电容介质结构及电容器阵列结构。本实用新型提供的电容介质结构通过引入高介电常数材料及低漏电材料，获得了相比现有技术具有更优的高电容值与低漏电性能的电容介质结构。本实用新型还提供了一种电容介质结构电容器阵列结构，基于本实用新型所提供的电容介质结构所制备的电容器阵列结构具有更高的电容值及更好的抗漏电性能。

主权项

1.一种电容介质结构，形成于下电极层和上电极层之间，其特征在于，所述电容介质结构包括：多晶型电容介质层、中间层禁带宽度层和掺杂型电容介质层，所述中间层禁带宽度层间设于所述多晶型电容介质层和所述掺杂型电容介质层之间；其中，所述掺杂型电容介质层的本征材料层与所述多晶型电容介质层的材料相同，且所述掺杂型电容介质层的介电常数大于所述多晶型电容介质层的介电常数。