[实用新型]倒装发光芯片

摘要

本实用新型公开了一倒装发光芯片，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。

主权项

1.倒装发光芯片，其特征在于，包括：一衬底；一外延叠层，其包括一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，其中所述衬底、所述N型半导体层、所述有源区和所述P型半导体层依次层叠；一反射层，其中所述反射层层叠于所述P型半导体层；一阻挡层，其以包覆所述反射层的方式层叠于所述P型半导体层；一第一绝缘层，其层叠于所述阻挡层，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述第一通道延伸至所述N型半导体层，所述第二通道延伸至所述阻挡层；一扩展电极层，其包括一第一扩展电极部和一第二扩展电极部，其中所述第一扩展电极部具有至少一第一扩展电极针，在所述第一扩展电极部层叠于所述第一绝缘层时，所述第一扩展电极针形成于所述第一通道和电连接于所述N型半导体层，其中所述第二扩展电极部具有至少一第二扩展电极针，在所述第二扩展电极部层叠于所述第一绝缘层时，所述第二扩展电极针形成于所述第二通道和电连接于所述阻挡层；以及一电极组，其包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极电连接于所述第一扩展电极部，所述P型电极电连接于所述第二扩展电极部。