[实用新型]电路和电子设备有效

专利信息
申请号: 201821101847.9 申请日: 2018-07-12
公开(公告)号: CN208690257U 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: G·H·罗切尔特 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/07 分类号: H01L27/07;H01L27/02;H03K17/687
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 马芬;姚开丽
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及电路和电子设备。本公开涉及一种电路和一种电子设备。所述电路可包括具有主体、漏极、栅极和源极的场效应晶体管。在一个实施方案中,所述电路还可包括可具有基极和集电极的双极晶体管,其中所述双极晶体管的所述集电极耦接到所述场效应晶体管的所述主体;并且所述场效应晶体管的所述漏极耦接到所述双极晶体管的所述基极。在另一个实施方案中,所述电路可包括具有阳极和阴极的二极管,其中所述场效应晶体管的所述源极耦接到所述二极管的所述阳极,并且所述场效应晶体管的所述栅极耦接到所述二极管的所述阴极。在另一方面,所述电子设备可包括对应于所述电路内的组件的一个或多个物理结构。
搜索关键词: 场效应晶体管 电路 电子设备 双极晶体管 二极管 阴极 阳极 集电极 漏极 源极 本实用新型 物理结构
【主权项】:
1.一种电路,其特征在于,所述电路包括:第一场效应晶体管,所述第一场效应晶体管具有主体和漏极;以及双极晶体管,所述双极晶体管具有基极和集电极,其中:所述双极晶体管的所述集电极耦接到所述第一场效应晶体管的所述主体,并且所述第一场效应晶体管的所述漏极耦接到所述双极晶体管的所述基极。
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