[实用新型]晶体管结构

摘要

本实用新型实施例公开了一种晶体管结构，包括：衬底，定义有源极区和漏极区；栅极氧化层，覆盖源极区和漏极区部分上表面及源极区和漏极区之间外露的衬底，栅极氧化层的厚度为大于等于2纳米小于等于5纳米；晶体管栅极，设置于栅极氧化层上且对准于衬底在源极区和漏极区之间外露的上表面，包括多晶导电结构、金属导电层，介电保护层；多晶导电结构包括：第一栅极导电硅层，形成在栅极氧化层之上且位于源极区和漏极区之间的间隔之上的位置处；第二栅极导电硅层，第一栅极导电硅层和栅极第二导电硅层导通；栅极的第一隔离氧化层，设置在第一栅极导电硅层和第二栅极导电硅层之间，栅极的第一隔离氧化层的厚度范围为大于0.01纳米小于1纳米。

主权项

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中定义有间隔设置的源极区和漏极区；栅极氧化层，覆盖所述源极区的部分上表面、所述漏极区的部分上表面及所述源极区和所述漏极区之间外露的所述衬底的上表面，所述栅极氧化层的厚度范围为大于等于2纳米小于等于5纳米；以及晶体管栅极，设置于所述栅极氧化层上且对准于所述衬底在所述源极区和所述漏极区之间外露的上表面，所述晶体管栅极包括贴附于所述栅极氧化层的多晶导电结构、设置于所述多晶导电结构上的金属导电层，以及覆盖所述金属导电层的介电保护层；其中，所述多晶导电结构包括：第一栅极导电硅层，形成在所述栅极氧化层之上且位于所述源极区和所述漏极区之间的间隔之上的位置处；第二栅极导电硅层，设置在所述第一栅极导电硅层上，且所述第一栅极导电硅层和所述栅极第二导电硅层导通；栅极的第一隔离氧化层，设置在所述第一栅极导电硅层和所述第二栅极导电硅层之间，以隔离所述第一栅极导电硅层和所述第二栅极导电硅层，所述栅极的第一隔离氧化层的厚度范围为大于0.01纳米小于1纳米。