[实用新型]一种原子层沉积设备有效
申请号: | 201820862121.0 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN208517526U | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 何金花 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请属于集成电路的薄膜制备领域,具体涉及一种原子层沉积设备,包括反应腔室、进气管、承载台、转速同步调节器以及电机;所述反应腔室一侧的下端设有进气口、另一侧的下端设有出气口;所述进气管竖直布设于所述反应腔室中,并与所述进气口连通,所述进气管上沿竖向方向设有若干气孔;所述承载台设于所述反应腔室的底部,所述电机设于所述反应腔室的下方,所述电机传动连接承载台,并带动所述承载台匀速转动;所述转速同步调节器连接电机,并控制电机的转速。本实用新型提供的原子层沉积设备能调整承载台的转速改善成膜的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 反应腔室 承载台 原子层沉积设备 进气管 进气口 调节器 转速同步 下端 电机 本实用新型 薄膜制备 电机传动 控制电机 连接电机 匀速转动 出气口 均匀性 布设 成膜 竖向 竖直 集成电路 连通 申请 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括反应腔室、进气管、承载台、转速同步调节器以及电机;所述反应腔室一侧的下端设有进气口、另一侧的下端设有出气口;所述进气管竖直布设于所述反应腔室中,并与所述进气口连通,所述进气管上沿竖向方向设有若干气孔;所述承载台设于所述反应腔室的底部,所述电机设于所述反应腔室的下方,所述电机传动连接所述承载台,并带动所述承载台匀速转动;所述转速同步调节器连接所述电机和所述进气口,并用于控制所述电机的转速和所述进气口的进气时间以使通过所述进气口向所述反应腔室通入清洁气体所用时间满足所述承载台旋转一周用时的整数倍关系。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的