[实用新型]石墨烯晶体管电路装置有效
| 申请号： | 201820827886.0 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN208548341U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴胜周 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及石墨烯晶体管电路装置，所述石墨烯晶体管电路装置包括：基底；设置在所述基底上的氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结，其中通过在所述异质结上形成掩模并进行电子束曝光，然后通过干法刻蚀形成所需的晶体管结构；设置在具有所述晶体管结构的异质结上的包括源电极、漏电极和栅电极的电极层。本实用新型利用氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结不仅打开了石墨烯的能隙，而且电极层直接在氮化硼上蒸镀形成，由此可以保护石墨烯，避免由于石墨烯暴露于大气环境而吸附气体分子所致的电学性能降低，因此本实用新型提供了能够利用石墨烯的电学性能的晶体管电路装置。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 氮化硼 晶体管电路 异质结 本实用新型 晶体管结构 电学性能 电极层 基底 吸附气体分子 电子束曝光 大气环境 干法刻蚀 漏电极 源电极 栅电极 能隙 掩模 蒸镀 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯晶体管电路装置，所述石墨烯晶体管电路装置包括：基底；设置在所述基底上的氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结，其中通过在所述异质结上形成掩模并进行电子束曝光，然后通过干法刻蚀形成所需的晶体管结构；设置在具有所述晶体管结构的异质结上的包括源电极、漏电极和栅电极的电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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