[实用新型]一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘有效
申请号: | 201820793500.9 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN208201121U | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 朱耀强;周佐华;徐平 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 郑隽;吴婷 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘,包括:盘体、放片槽、限位块、第一台阶、沟槽、凸台、第二台阶、第三台阶;所述放片槽通过嵌入方式设置在盘体上;所述限位块通过嵌入方式设置在放片槽的内壁上;所述沟槽位于放片槽的底端;所述第一台阶设置在沟槽的一侧;所述凸台设置在沟槽的另一侧;所述第二台阶设置在凸台的另一侧;所述第三台阶设置在第二台阶的另一侧;本实用新型通过对应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘的改进,具有结构设计合理、将放片位置根据波长分布规律进行改进,改善衬底的受热情况,提高单片波长和电性的均匀性,提高芯片良率的优点,从而有效的解决了本实用新型在背景技术一项中提出的问题和不足。 | ||
搜索关键词: | 片槽 本实用新型 台阶设置 石墨盘 凸台 机型 嵌入方式 限位块 盘体 波长分布 受热 均匀性 波长 衬底 单片 底端 电性 良率 内壁 应用 改进 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘,包括:盘体(1)、放片槽(2)、限位块(3)、第一台阶(4)、沟槽(5)、凸台(6)、第二台阶(7)、第三台阶(8);其特征在于:所述放片槽(2)通过嵌入方式设置在盘体(1)上;所述限位块(3)通过嵌入方式设置在放片槽(2)的内壁上;所述沟槽(5)位于放片槽(2)的底端;所述第一台阶(4)设置在沟槽(5)的一侧;所述凸台(6)设置在沟槽(5)的另一侧;所述第二台阶(7)设置在凸台(6)的另一侧;所述第三台阶(8)设置在第二台阶(7)的另一侧。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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