[实用新型]一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘有效
| 申请号： | 201820793500.9 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208201121U | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 朱耀强;周佐华;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片槽 本实用新型 台阶设置 石墨盘 凸台 机型 嵌入方式 限位块 盘体 波长分布 受热 均匀性 波长 衬底 单片 底端 电性 良率 内壁 应用 改进 芯片 | ||
1.一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，包括：盘体(1)、放片槽(2)、限位块(3)、第一台阶(4)、沟槽(5)、凸台(6)、第二台阶(7)、第三台阶(8)；其特征在于：所述放片槽(2)通过嵌入方式设置在盘体(1)上；所述限位块(3)通过嵌入方式设置在放片槽(2)的内壁上；所述沟槽(5)位于放片槽(2)的底端；所述第一台阶(4)设置在沟槽(5)的一侧；所述凸台(6)设置在沟槽(5)的另一侧；所述第二台阶(7)设置在凸台(6)的另一侧；所述第三台阶(8)设置在第二台阶(7)的另一侧。
2.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述放片槽(2)共设置有十四个，且放片槽(2)在盘体(1)上呈环形阵列状分布有两圈，放片槽(2)在内圈设置的数目为四个，在外圈设置的数目为十个。
3.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述放片槽(2)顶端与盘体(1)的连接处设置有圆角过渡。
4.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述限位块(3)的俯视面呈“Ω”形，且每个放片槽(2)内均设置有六个限位块，限位块在放片槽(2)的内壁上呈环形阵列状分布。
5.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述沟槽(5)的宽度设置为0-1毫米。
6.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述第一台阶(4)顶端与沟槽(5)顶端之间的高度差设置为0-0.25毫米。
7.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述凸台(6)的剖切面呈弧形状，且凸台(6)最顶端与沟槽(5)顶端之间的高度差设置为0-0.02毫米。
8.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述第二台阶(7)顶端与凸台(6)最低端之间的高度差设置为0-0.03毫米。
9.根据权利要求1所述的一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其特征在于：所述第三台阶(8)顶端与第二台阶(7)顶端之间的高度差设置为0-0.03毫米。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
