[实用新型]一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘

说明书

本实用新型提供了一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，包括：盘体、放片槽、限位块、第一台阶、沟槽、凸台、第二台阶、第三台阶；所述放片槽通过嵌入方式设置在盘体上；所述限位块通过嵌入方式设置在放片槽的内壁上；所述沟槽位于放片槽的底端；所述第一台阶设置在沟槽的一侧；所述凸台设置在沟槽的另一侧；所述第二台阶设置在凸台的另一侧；所述第三台阶设置在第二台阶的另一侧；本实用新型通过对应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘的改进，具有结构设计合理、将放片位置根据波长分布规律进行改进，改善衬底的受热情况，提高单片波长和电性的均匀性，提高芯片良率的优点，从而有效的解决了本实用新型在背景技术一项中提出的问题和不足。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，更具体的说，尤其涉及一种解决生产实际中存在的波长均匀性差的问题，提高单片、单炉和不同炉次产品集中度的应用于AixtronCrius II机型的石墨盘。

背景技术

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在石墨盘上进行沉积工艺，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

现有技术的化学气相沉积工艺设备一般包括：相对设置的喷淋头和石墨盘，所述喷淋头用于提供反应气体，其内可以设置多个小孔，石墨盘内具有多个凹槽，每个凹槽内对应放置一片衬底，在石墨盘的下方还有加热装置，以对石墨盘进行加热，石墨盘受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底进行加热。在进行MOCVD工艺时，反应气体自喷淋头的小孔进入石墨盘上方的反应区域，衬底由于加热装置的热传导加热而具有一定的温度，该温度使得反应气体之间进行化学反应，从而在衬底表面沉积外延材料层。

外延设备较常采用的是Aixtron Crius II机型，其逐渐都从原2寸生长转为使用直径为4英寸的衬底生长，由于硬件的缺陷和4寸外延的特点，外延片的中心和外围受热不均匀，导致生长出的外延片片内均匀性变差，严重影响了芯片的均匀性和良率，目前各个厂家提供的石墨盘的沿用了原来2寸石墨盘，在此基础上进行的常规调整都没有达到很好的效果，不能从根本上解决波长均匀性的问题。

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，其能够解决生产实际中存在的波长均匀性差的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，以解决上述背景技术中提出的外延设备较常采用的是Aixtron Crius II机型，其逐渐都从原2寸生长转为使用直径为4英寸的衬底生长，由于硬件的缺陷和4寸外延的特点，外延片的中心和外围受热不均匀，导致生长出的外延片片内均匀性变差，严重影响了芯片的均匀性和良率，目前各个厂家提供的石墨盘的沿用了原来2寸石墨盘，在此基础上进行的常规调整都没有达到很好的效果，不能从根本上解决波长均匀性的问题和不足。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，由以下具体技术手段所达成：

一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘，包括：盘体、放片槽、限位块、第一台阶、沟槽、凸台、第二台阶、第三台阶；所述放片槽通过嵌入方式设置在盘体上；所述限位块通过嵌入方式设置在放片槽的内壁上；所述沟槽位于放片槽的底端；所述第一台阶设置在沟槽的一侧；所述凸台设置在沟槽的另一侧；所述第二台阶设置在凸台的另一侧；所述第三台阶设置在第二台阶的另一侧。

作为本技术方案的进一步优化，本实用新型一种应用于Aixtron Crius II机型的石墨盘所述放片槽共设置有十四个，且放片槽在盘体上呈环形阵列状分布有两圈，放片槽在内圈设置的数目为四个，在外圈设置在数目为十个。