[实用新型]一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构有效
申请号: | 201820740768.6 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN208208767U | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 王岚;杨蕾;张元秋;常青;吴俊旻;张冠纶 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构,包括硅片衬底,所述硅片衬底背面设置有叠层背面钝化膜,所述叠层背面钝化膜上间隔设置有背面电极主栅区;在所述叠层背面钝化膜上非背面电极主栅区激光开槽形成重复点群组结构单元,所述重复点群组结构单元由2‑18个圆孔状激光光斑重叠3%‑17%圆面积区域构成,所述重复点群组结构单元的中心点间隔0.2‑1.0mm。本实用新型的激光开槽导电结构,可以将背部传导平面分割为更小导电结构单元的方式,缩短了光生电流传导路径,提升了载流子的传输收集能力,同时可以降低激光开槽对电池硅片衬底造成的晶格破坏和复合损伤,提升单多晶硅背面钝化局域背接触太阳电池的光电转换效率和组件可靠性。 | ||
搜索关键词: | 激光开槽 导电结构 背面钝化膜 背面钝化 组结构 点群 叠层 矩阵 本实用新型 背面电极 主栅区 硅片 衬底 点式 重复 载流子 光电转换效率 局域背接触 组件可靠性 衬底背面 传导路径 电池硅片 复合损伤 光生电流 激光光斑 间隔设置 面积区域 平面分割 多晶硅 圆孔状 中心点 晶格 传导 传输 | ||
【主权项】:
1.一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构,包括硅片衬底(1),其特征在于:所述硅片衬底(1)背面设置有叠层背面钝化膜(2),所述叠层背面钝化膜(2)上间隔设置有背面电极主栅区(3);在所述叠层背面钝化膜(2)上非背面电极主栅区(3)激光开槽形成重复点群组结构单元(4),所述重复点群组结构单元(4)由2‑18个圆孔状激光光斑(5)重叠3%‑17%圆面积区域构成,所述重复点群组结构单元(4)的中心点间隔0.2‑1.0mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的