[实用新型]一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构

权利要求书

1.一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，包括硅片衬底(1)，其特征在于：所述硅片衬底(1)背面设置有叠层背面钝化膜(2)，所述叠层背面钝化膜(2)上间隔设置有背面电极主栅区(3)；

在所述叠层背面钝化膜(2)上非背面电极主栅区(3)激光开槽形成重复点群组结构单元(4)，所述重复点群组结构单元(4)由2-18个圆孔状激光光斑(5)重叠3％-17％圆面积区域构成，所述重复点群组结构单元(4)的中心点间隔0.2-1.0mm。

2.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，其特征在于：所述叠层背面钝化膜(2)包括氧化硅膜层、氧化铝膜层以及氮化硅膜层，所述氧化硅膜层为2-6nm，所述氧化铝膜层为3-26nm，所述氮化硅膜层为70-130nm。

3.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，其特征在于：所述背面电极主栅区(3)采用分段式设置，且背面电极主栅区(3)数量为3-12个、宽度为0.6-2.2mm。

4.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，其特征在于：所述重复点群组结构单元(4)距离硅片衬底(1)边缘0.5-1.5mm。

5.根据权利要求1所述的一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，其特征在于：所述圆孔状激光光斑(5)的开槽深度为73nm以上，且圆孔状激光光斑(5)的直径为20-50um。