[实用新型]光敏器件有效

专利信息
申请号: 201820735140.7 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN208208762U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 曾巧玉;龚政;陈志涛;刘晓燕;曾昭烩;潘章旭;刘久澄;任远;王巧;李叶林 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L27/146;H01L27/148
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 梁香美
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种光敏器件及其制作方法,涉及光电技术领域,所述光敏器件包括APD及光学耦合器,APD包括衬底层及依次设置的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层,在N型掺杂层、APD台面外周设置填充钝化层,光学耦合器设置于器件的顶部,用于光耦合汇聚和改变光传输方向。光学耦合器与P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域,将光学耦合器的光入射面与雪崩光电二极管在水平方向上分离,利用光学耦合器的光耦合汇聚特性,可以在保证整个器件光量子效率基本不变的条件下,通过大幅的降低雪崩光电二极管APD的尺寸和减小吸收层的厚度,以提升光敏器件的工作速率和带宽,降低器件的暗电流与功耗,提升器件的灵敏度。
搜索关键词: 光学耦合器 光敏器件 雪崩光电二极管 光耦合 吸收层 光电技术领域 投影重叠区域 汇聚 本实用新型 电荷控制层 光量子效率 光入射面 降低器件 提升器件 依次设置 暗电流 倍增层 衬底层 钝化层 光传输 灵敏度 速率和 台面 功耗 减小 外周 填充 带宽 制作 保证
【主权项】:
1.一种光敏器件,其特征在于,所述光敏器件包括雪崩光电二极管及光学耦合器,所述雪崩光电二极管包括衬底层及依次设置于衬底层上的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层,所述倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层依次设置于所述N型掺杂层远离衬底层的表面的预设区域,所述N型掺杂层上设置有填充钝化层以将形成台面的倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层的四周包覆,所述光学耦合器设置于所述填充钝化层上,所述光学耦合器与所述P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域,所述P型掺杂层的表面与所述光学耦合器不接触的区域设置有第一钝化层,所述N型掺杂层未设置填充钝化层的表面设置有第二钝化层。
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