[实用新型]光敏器件

权利要求书

1.一种光敏器件，其特征在于，所述光敏器件包括雪崩光电二极管及光学耦合器，所述雪崩光电二极管包括衬底层及依次设置于衬底层上的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层，所述倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层依次设置于所述N型掺杂层远离衬底层的表面的预设区域，所述N型掺杂层上设置有填充钝化层以将形成台面的倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层的四周包覆，所述光学耦合器设置于所述填充钝化层上，所述光学耦合器与所述P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域，所述P型掺杂层的表面与所述光学耦合器不接触的区域设置有第一钝化层，所述N型掺杂层未设置填充钝化层的表面设置有第二钝化层。

2.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述光学耦合器包括光接收部以及与所述光接收部连接并凸出于所述光接受部的光波导结构，其中，所述光波导结构与所述P型掺杂层之间投影重叠或部分重叠。

3.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述雪崩光电二极管还包括P型接触电极和N型接触电极，所述P型接触电极设置于所述第一钝化层上，所述P型接触电极通过过孔与所述P型掺杂层接触，所述N型接触电极设置于所述第二钝化层上，所述N型接触电极通过过孔与所述N型掺杂层接触。

4.如权利要求3所述的光敏器件，其特征在于，所述过孔包括第一过孔，第一过孔设置于所述第一钝化层上，所述P型接触电极通过所述第一过孔与所述P型掺杂层接触。

5.如权利要求3所述的光敏器件，其特征在于，所述过孔包括第二过孔，第二过孔设置于所述第二钝化层上，所述N型接触电极通过所述第二过孔与所述N型掺杂层接触。

6.如权利要求3所述的光敏器件，其特征在于，所述N型接触电极包括欧姆电极及加厚电极，所述欧姆电极与N型掺杂层的表面接触，所述加厚电极设置在欧姆电极上。

7.如权利要求3所述的光敏器件，其特征在于，所述P型接触电极包括欧姆电极及加厚电极，所述欧姆电极与P型掺杂层的表面接触，所述加厚电极设置在欧姆电极上。

8.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述吸收层与所述P型电荷控制层之间设置有缓冲层以减小外延缺陷。

9.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述衬底层为N型掺杂硅衬底层或绝缘体硅片。

10.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述光学耦合器的材料的折射率高于钝化层材料的折射率。