[实用新型]一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管有效
| 申请号： | 201820692149.4 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN208062057U | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 卢星;任远;陈志涛;刘晓燕;赵维;龚政;黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，包括由下至上层叠的漏电极、n+‑Ga2O3衬底以及n‑‑Ga2O3耐压层，n‑‑Ga2O3耐压层上表面设置条状延伸的n‑‑Ga2O3沟道层，在所述n‑‑Ga2O3沟道层上表面向上依次设有n+‑Ga2O3接触层和源电极；在所述n‑‑Ga2O3沟道层和n+‑Ga2O3接触层侧面和n‑‑Ga2O3耐压层上表面设有栅介质层，栅介质层在n‑‑Ga2O3沟道层和n‑‑Ga2O3耐压层连接处相对应的另一表面设有栅电极；所述的n‑‑Ga2O3沟道层和n+‑Ga2O3接触层组成三维鳍片状结构，所述的三维鳍片状结构在n‑‑Ga2O3耐压层上表面平行设置两组或以上。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 耐压层 上表面 接触层 垂直场效应晶体管 鳍片状结构 栅介质层 鳍式沟道 氧化镓 三维 本实用新型 平行设置 条状延伸 漏电极 源电极 栅电极 衬底 两组 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管，其特征在于，包括：由下至上层叠的漏电极(101)、n+‑Ga2O3衬底(102)以及n‑‑Ga2O3耐压层(103)，所述的n‑‑Ga2O3耐压层(103)上表面设置条状延伸的n‑‑Ga2O3沟道层(104)，在所述n‑‑Ga2O3沟道层(104)上表面向上依次设有n+‑Ga2O3接触层(105)和源电极(108)；在所述n‑‑Ga2O3沟道层(104)、n+‑Ga2O3接触层(105)侧面和n‑‑Ga2O3耐压层(103)上表面设有用于绝缘的栅介质层(106)，所述栅介质层(106)在n‑‑Ga2O3沟道层(104)和n‑‑Ga2O3耐压层(103)连接处相对应的另一表面设有栅电极(107)；所述的n‑‑Ga2O3沟道层(104)和n+‑Ga2O3接触层(105)组成三维鳍片状结构，所述的三维鳍片状结构在n‑‑Ga2O3耐压层(103)上表面平行设置两组或以上。
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