[实用新型]一种绝缘栅底场效应管有效
| 申请号： | 201820573621.2 | 申请日： | 2018-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN208444842U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郑治龙;覃仕明 | 申请（专利权）人： | 郑治龙;覃仕明 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 张家界市慧诚商标专利事务所 43209 | 代理人： | 高红旺 |
| 地址： | 427000 湖南省张家*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底（1），在P型硅片衬底（1）中具有两个N+区（2），在位于N+区（2）一边的P型硅片衬底（1）表面设置有上绝缘层（3），两个N+区（2）分别有源极（4）和漏板（5）引出上绝缘层（3）外，其特征在于，在源极（4）与漏极（5）之间的上绝缘层（3）上引出栅极（6），在P型硅片衬底（6）另一面设置有下绝缘层（7），在下绝缘层（7）外表面设置铝箔（8），在铝箔（8）上引出绝缘底（9）。本实用新型可以实现源极、漏极互换，可以控制交、直流电流，用于音响技术方面，具有电子管较好的高中音效果，也具备晶体管的较好的低音效果，而且还具有比电子管的失真小等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 上绝缘层 源极 本实用新型 电子管 铝箔 绝缘栅 效应管 底场 漏极 绝缘层 表面设置 低音效果 下绝缘层 音响技术 直流电流 中音 晶体管 漏板 绝缘 失真 互换 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底（1），在P型硅片衬底（1）中具有两个N+区（2），在位于N+区（2）一边的P型硅片衬底（1）表面设置有上绝缘层（3），两个N+区（2）分别有源极（4）和漏极（5）引出上绝缘层（3）外，其特征在于，在源极（4）与漏极（5）之间的上绝缘层（3）上引出栅极（6），在P型硅片衬底（1）另一面设置有下绝缘层（7），在下绝缘层（7）外表面设置铝箔（8），在铝箔（8）上引出绝缘底（9）。
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