[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201820161716.3 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN207719212U | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 高朕 | 申请（专利权）人： | 维深半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人： | 常利强;王桂玲 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器包括感光器部分和电路部分，其中所述感光器部分包括：微透镜和滤光片，入射光子先通过微透镜再穿过滤光片进入到背照式图像传感器中；透明导电膜，其位于微透镜和滤光片之下，并且入射光子继续通过所述透明导电膜进入；以及第一衬底，其位于透明导电膜之下，并且用于捕捉和检测接收到的光子；其特征在于：在透明导电膜与第一衬底之间形成异质结。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式图像传感器 透明导电膜 滤光片 微透镜 光子 感光器 衬底 入射 本实用新型 异质结 电路 捕捉 穿过 检测 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器包括感光器部分和电路部分，其中所述感光器部分包括：微透镜(190)和滤光片(170)，入射光子先通过所述微透镜(190)再穿过滤光片(170)进入到背照式图像传感器中；透明导电膜(130)，所述透明导电膜位于微透镜(190)和滤光片(170)之下，并且入射光子继续通过所述透明导电膜(130)进入；以及第一衬底(10)，所述第一衬底(10)位于透明导电膜(130)之下，并且用于捕捉和检测接收到的光子；其特征在于：在透明导电膜(130)与第一衬底(10)之间形成异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
