[发明专利]一种离子中和器装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201811654080.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109904052B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙雷蒙;涂良成;王玉容;宋培义;匡双阳;肖东阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种离子中和器装置及其制备方法，包括：阴极衬底、碳纳米管阵列、金属纳米颗粒、绝缘层以及金属栅网电极；所述碳纳米管阵列沉积在阴极衬底，所述金属纳米颗粒分散在碳纳米管阵列上，均匀修饰所述碳纳米管阵列，成为碳纳米管阵列阴极；所述绝缘层位于所述阴极衬底表面，所述绝缘层为中空的，所述碳纳米管阵列阴极位于绝缘层中空部分；所述金属栅网电极为镂空结构，所述碳纳米管的阵列与金属栅网电极的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列阴极、金属栅网电极以及绝缘层三者互不导通。本发明降低碳纳米管和衬底间的接触电阻，减少器件的热效应和整体功耗改善中和器的工作寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 中和 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子中和器装置，其特征在于，包括：阴极衬底(101)、碳纳米管阵列(201)、金属纳米颗粒(203)、绝缘层(301)以及金属栅网电极(401)；所述碳纳米管阵列(201)沉积在阴极衬底(101)，所述金属纳米颗粒(203)分散在碳纳米管阵列(201)上，均匀修饰所述碳纳米管阵列(201)，成为碳纳米管阵列(201)阴极；所述绝缘层(301)位于所述阴极衬底(101)表面，所述绝缘层(301)为中空的，所述碳纳米管阵列(201)阴极位于绝缘层(301)中空部分；所述金属栅网电极(401)为镂空结构，所述碳纳米管的阵列(201)与金属栅网电极(401)的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列(201)阴极、金属栅网电极(401)以及绝缘层(301)三者互不导通。
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