[发明专利]一种真空沟道晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811649707.X | 申请日： | 2018-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109801830A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 郝广辉;邵文生;张珂 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J40/16 | 分类号： | H01J40/16;H01J21/10;H01J9/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空沟道晶体管及其制备方法。该晶体管依次包括阳极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和光电阴极，其中在所述阳极和光电阴极之间形成有真空沟道。本发明提供的晶体管设置有真空沟道，使得电子传输距离极短，所述晶体管具有更高的载流子迁移率和载流子平均自由程，同时使得电子在真空沟道中不存在固体器件中电子能量散射对器件热稳定性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 真空沟道 晶体管 绝缘层 阳极 光电阴极 制备 载流子 电子传输距离 载流子迁移率 平均自由程 电子能量 固体器件 热稳定性 散射 | ||
【主权项】：
1.一种真空沟道晶体管，其特征在于，该晶体管依次包括阳极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和光电阴极，其中在所述阳极和光电阴极之间形成有真空沟道。
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