[发明专利]一种量子点电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811642493.3 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN110224074A 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 王坚;寸阳珂;王娟红;黎佳立;江从彪;罗宇;俞丹牡;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法,本发明为减小量子点发光二极管器件空穴注入势垒,在制备量子点发光二极管器件时,采用原位配体置换的方式将含有孤对电子的极性配位基团的小分子材料,如含有胺基,巯基,磷基等材料溶解在质子溶剂中,旋涂在已制备成膜通过热处理的量子点层。由于有孤对电子的极性配位基团:胺基,巯基,磷基等基团的孤对电子,引入较大的界面偶极,减小了空穴注入势垒,平衡了空穴电子流,提高了器件性能。并且钝化量子点薄膜表面缺陷,减少了激子淬灭。该方法具有适用性广,高效简单的特点。
搜索关键词: 量子点 制备 孤对电子 发光二极管器件 电致发光器件 空穴注入势垒 配位基团 胺基 减小 磷基 巯基 空穴 小分子材料 热处理 薄膜表面 材料溶解 量子点层 配体置换 器件性能 质子溶剂 成膜 淬灭 钝化 激子 偶极 旋涂 引入 平衡
【主权项】:
1.一种量子点电致发光器件的方法,其特征在于包括:在阴极上形成电子传输层,在所述电子传输层上形成量子点发光层,在所述量子点发光层上涂覆置换溶液从而原位置换量子点配体,置换完成后进行清洗形成置换后量子点发光层,然后在所述置换后量子点发光层上依次形成空穴传输层、空穴注入层和阳极,所述置换溶液是含有孤对电子的极性配位基团的小分子材料溶解在质子溶剂中形成的。
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