[发明专利]一种高亮度侧镀倒装LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高亮度侧镀倒装LED芯片，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。相应地，本发明还提供了一种高亮度侧镀倒装LED芯片的制作方法。本发明在衬底和发光结构的侧壁形成一层侧镀金属层，将芯片侧面发出的光线进行反射，使更多的光线从芯片的轴向发出，从而增加芯片的轴向出光量，防止芯片“漏蓝”，提高芯片的亮度，此外，还可以减少芯片的发光角度，提高光色纯度。

主权项

1.一种高亮度侧镀倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和金属反射层，所述切割道位于发光结构的边缘，所述第一孔洞从金属反射层刻蚀至第一半导体层，所述第二孔洞从金属反射层刻蚀至第二半导体层的表面，所述第一绝缘层覆盖在发光结构的表面及侧壁，且延伸至第一孔洞和第二孔洞的侧壁，所述第一金属支撑层填充在第一孔洞内并延伸至第一绝缘层的表面，所述第二金属支撑层填充在第二孔洞内并延伸至第一绝缘层的表面，第一金属支撑层和第二金属支撑层相互绝缘，所述第二绝缘层覆盖在第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一绝缘层的表面和侧壁，第二绝缘层的侧表面与衬底的侧表面齐平，所述第一电极与第一金属支撑层连接，所述第二电极与第二金属支撑层连接，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。