[发明专利]一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811633992.6 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN110010571A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 冯光建;王志宇;张兵;周琪;张勋;郁发新 申请(专利权)人: 杭州臻镭微波技术有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L23/367;H01L21/48
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 310030 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法,包括盖板、底座,盖板与底座键合;盖板上表面的两端设置进水口、出水口,盖板中间设置放置芯片的凹槽;底座相应进水口、出水口的位置处设置槽口,底座中间设置流通槽,流通槽横截面呈矩形,流通槽与槽口之间设置通道;本发明提供高效的水冷散热的一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法。
搜索关键词: 大功率射频 沟槽结构 芯片系统 盖板 流通槽 水冷 底座 封装 中间设置 出水口 进水口 槽口 制作 盖板上表面 两端设置 水冷散热 底座键 位置处 芯片
【主权项】:
1.一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构,其特征在于,包括盖板载板、底座载板,盖板载板与底座载板键合;盖板载板上表面的两端设置进水口TSV孔、出水口TSV孔,盖板载板中间设置放置芯片的凹槽;底座载板相应进水口TSV孔、出水口TSV孔的位置处设置凹坑,底座载板中间设置流通槽,流通槽横截面呈矩形,流通槽与凹坑之间设置通道。
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