[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201811633335.1 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN110047776B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 根来世;小林健司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后,基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步,将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其包含:第1氧浓度确定工序,基于表示基板主面的蚀刻量的所需值的所需蚀刻量,确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方,所述设定溶解氧浓度表示蚀刻液的溶解氧浓度的设定值,所述设定气氛氧浓度表示与保持于所述基板主面的所述蚀刻液接触的气氛中的氧浓度的设定值;第2氧浓度确定工序,基于所述所需蚀刻量与所述第1氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方,确定所述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方;低氧气体供给工序,使低氧气体流入至容纳所述基板的腔室内,所述低氧气体具有与所述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的所述设定气氛氧浓度一致或接近、且比空气中的氧浓度低的氧浓度;以及蚀刻工序,使通过所述低氧气体供给工序流入至所述腔室内的所述低氧气体与保持于所述基板主面的所述蚀刻液接触,并且将按照溶解氧浓度与所述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的所述蚀刻液供给至保持为水平的所述基板的整个主面,从而对所述基板的主面进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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