[发明专利]基于图形分类的离子注入层OPC方法有效
| 申请号: | 201811630180.6 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN109709763B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 汪悦;王飞舟;张月雨;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供一种基于图形分类的离子注入层OPC方法,包括:有源区图形和栅极图形;覆盖有源区图形和栅极图形的离子注入层图形;定义栅极方向和源漏极方向及离子注入层图形中平行于栅极方向的边和平行于源漏极方向的边;对该平行于栅极方向的边进行移动,对得到的离子注入层图形中的垂直于栅极方向的边进行移动,最终得到基于图形分类尺寸补偿的图形层;对图形层进行基于模型的OPC处理,得到光罩版图。本发明对离子注入层的边进行分类移动实现不同的尺寸补偿,在降低了离子注入层的光阻收缩剥落风险的同时,能够降低过度补偿或补偿不足的风险,从而保证前层图形离子注入的准确性。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 图形 分类 离子 注入 opc 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于图形分类的离子注入层OPC方法,其特征在于,该方法至少包括:步骤一、提供版图,所述版图包括:有源区图形和位于该有源区图形上层相互平行分布的数个条形结构的栅极图形;覆盖所述有源区图形和所述栅极图形的离子注入层图形;步骤二、根据所述有源区图形和所述栅极图形确定版图中栅极方向和源漏极方向,所述栅极方向为所述条形栅极的长边方向;步骤三、所述离子注入层图形为多边形根据所述离子注入层图形的边与所述有源区图形和栅极图形的位置关系,确定所述离子注入层图形中平行于所述栅极方向的边和平行于所述源漏极方向的边;步骤四、对所述离子注入层图形平行于栅极方向的边进行移动,使所述离子注入层图形垂直于所述栅极方向的边得到尺寸变化;步骤五、对经过步骤四得到的离子注入层图形中的垂直于所述栅极方向的边进行移动,使所述离子注入层图形平行于所述栅极方向的边得到尺寸变化,得到基于图形分类尺寸补偿的图形层;步骤六、对所述图形层进行基于模型的OPC处理,得到光罩版图。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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