[发明专利]一种膜层的制备方法与量子点发光二极管有效

专利信息
申请号: 201811629191.2 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN111384303B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 梁柱荣;曹蔚然;钱磊 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/00;H01L51/50
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种膜层的制备方法与量子点发光二极管,所述方法包括步骤:提供网状结构模板,将膜层材料覆盖在所述网状结构模板表面;将表面覆盖有膜层材料网状结构模板转移至真空腔室内,所述真空腔室内设置有基板;通过激光照射所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板,将所述膜层材料沉积到所述基板上,在基板上形成所述膜层。本发明通过激光辅助闪蒸印刷法能够制备出高质量的膜层,并且膜层材料可以是量子点、纳米颗粒功能层材料、高分子材料、金属等。该激光辅助闪蒸印刷法工艺简单、成膜快速、重复性好、能够实现大面积连续化制备。
搜索关键词: 一种 制备 方法 量子 发光二极管
【主权项】:
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