[发明专利]一种膜层的制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种膜层的制备方法与量子点发光二极管，所述方法包括步骤：提供网状结构模板，将膜层材料覆盖在所述网状结构模板表面；将表面覆盖有膜层材料网状结构模板转移至真空腔室内，所述真空腔室内设置有基板；通过激光照射所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板，将所述膜层材料沉积到所述基板上，在基板上形成所述膜层。本发明通过激光辅助闪蒸印刷法能够制备出高质量的膜层，并且膜层材料可以是量子点、纳米颗粒功能层材料、高分子材料、金属等。该激光辅助闪蒸印刷法工艺简单、成膜快速、重复性好、能够实现大面积连续化制备。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种膜层的制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

量子点（Quantum dot，QD）也被称为半导体纳米晶（Semiconductornanocrystal），是一种颗粒半径小于或接近于激子波尔半径的半导体纳米粒子，其具有各种独特的光学特性，如禁带宽度易调谐、吸光光谱范围宽、光谱纯度高、光/化学性能稳定等。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantum dot light-emittingdiode, QLED），是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光二极管（Organic light-emitting diode，OLED）相似，但与传统发光二极管以及有机发光二极管相比，量子点发光二极管具有色纯度高、稳定性好、寿命长、色温佳、制备工艺简单等突出优点，有望替代传统的无机和有机LED成为经济的、稳定的和高效能的下一代显示面板。

由于量子点发光二极管器件中，主要膜层的材料是通过溶液法合成所得，如量子点、载流子传输纳米颗粒材料等，因此目前量子点发光二极管器件的研发及试产均采用溶液法加工制备，如旋涂法、印刷法等，溶液法与蒸发镀膜法相比，具有方法简单、工艺快速，成本低廉，能够实现规模化生产等优点。虽然如此，普通的溶液法较难得到非常均匀致密的膜层，并且印刷方法对墨水配方以及设备打印精度要求非常高，所制备的膜层容易会出现厚度不均匀、覆盖不全、膜层结晶性不好、界面缺陷大、膜层之间相互溶解渗透等不利现象，而且重复性不稳定，成膜不均匀最终会导致所制备的量子点发光二极管重复性不好、器件之间性能差异大，且发光面积不均匀和性能不稳定。特别地，量子点发光层作为量子点发光二极管器件的核心组成层，其成膜均匀性对后续加工的其他膜层以及器件的性能起到至关重要的作用。与溶液成膜法相比，有机发光二极管器件普遍采用的蒸发镀膜法通过精确控制沉积速度和气氛容易得到膜厚均一、结晶性优良的高质量膜层，但是对于溶液法合成的量子点或功能层纳米颗粒而言，难以采用这种常规的蒸镀法成膜。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种膜层的制备方法与量子点发光二极管，旨在解决目前普通喷墨打印法等溶液工艺成膜不均匀、膜层不致密等关键问题，且需要配制配方要求苛刻的印刷墨水，而常规蒸镀法设备要求高且无法蒸镀量子点等纳米颗粒的问题。

本发明的技术方案如下：

一种膜层的制备方法，其中，包括步骤：

提供网状结构模板，将膜层材料覆盖在所述网状结构模板表面；

将所述表面覆盖有膜层材料网状结构模板转移至真空腔室内，所述真空腔室内设置有基板；

通过激光照射所述表面覆盖有膜层材料的网状结构模板，将所述膜层材料沉积到所述基板，在基板上形成所述膜层。

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层、设置于所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其中，所述量子点发光层材料、电子传输层材料和空穴传输层材料中的至少一种采用本发明所述的制备方法制备得到。