[发明专利]基于半导体磁传感器的Overhauser磁力仪跟踪配谐方法有效

专利信息
申请号: 201811624388.7 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109597137B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 葛健;李晗;董浩斌;邱香域;罗望;李瑞鹏;王冠中;杨宣 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: G01V3/38 分类号: G01V3/38;G01V3/40
代理公司: 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 代理人: 金慧君
地址: 430000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了基于半导体磁传感器的Overhauser磁力仪快速跟踪配谐方法,包括:利用半导体磁传感器获取地磁场的粗略值F,根据地磁场F与FID信号频率f0的关系确定f0大小;根据f0初步确定Overhauser磁力仪配谐电容的容值C;根据得到的配谐电容的容值C,初步确定配谐电路实际配谐电容大小Cm,对实际配谐值Cm上下调整并搜索最优配谐值C0,根据峰值检波器检测FID信号峰值,峰值最大时,表明电路处于谐振状态,此时配谐成功,搜索停止,然后开始频率测量。
搜索关键词: 基于 半导体 传感器 overhauser 磁力 跟踪 方法
【主权项】:
1.基于半导体磁传感器的Overhauser磁力仪快速跟踪配谐方法,其特征在于,包括:步骤1、利用半导体磁传感器获取地磁场的粗略值F,根据粗略值F与FID信号频率f0的关系:得到FID信号的频率f0,其中,γp为质子的旋磁比;步骤2、根据步骤1中得到的频率f0确定配谐电容的容值C:其中,f0为FID信号的频率,L为配谐电路中的电感;步骤3、根据步骤2得到的配谐电容的容值C,确定配谐电容的初始容值Cm;步骤4、在步骤3得到的配谐电容的容值Cm并在配谐电容的容值Cm的值附近上下对配谐电容值C0进行搜索;步骤5、进行谐振电容值搜索的同时,根据谐振电路输出的FID信号的峰值判断是否达到谐振点,当达到谐振点时谐振电路输出的FID信号会达到峰值,此时配谐成功,搜索停止。
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