[发明专利]钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811613785.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384301B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王允军;刘东强 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K50/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法。钙钛矿量子点的制备方法包括：含有电荷传输物质和溶剂的雾滴沉积在钙钛矿量子点发光层上，所述雾滴聚集形成液膜层；干燥所述液膜层，得到电荷传输层；所述电荷传输层为电子传输层或空穴传输层。本申请通过在钙钛矿量子点发光层上沉积含有电荷传输物质的雾滴，并且通过低温干燥从而制备电荷传输层，可以极大的减小对钙钛矿量子点发光层的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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