[发明专利]一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法

摘要

本发明提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，包括：刻蚀腔体和设于其内部用于固定晶圆的静电吸盘；对静电吸盘定期保养时针对静电吸盘进行多次顺时针擦拭使其表面平整；使刻蚀腔体在其内壁涂SiCl4时，挡片能够更紧密地贴合于静电吸盘，避免SiCl4更多的粘在静电吸盘上，从而污染晶圆背面；对刻蚀后的晶圆背面进行清洗，去掉其背面的聚合物，避免在晶圆进入酸槽进行湿法刻蚀时聚合物被洗入酸槽，在晶圆正面形成棍状缺陷的现象，有效提高半导了体产品的良率。

主权项

1.一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：步骤一、提供一刻蚀腔体，该刻蚀腔体内部设有用于固定晶圆的静电吸盘；步骤二、对所述刻蚀腔体进行定期保养，在进行该定期保养的同时针对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭使所述静电吸盘表面平整；步骤三、对所述刻蚀腔体进行自清洁，提供一控片，将所述控片贴合于所述静电吸盘表面并覆盖所述静电吸盘表面的全部，之后在所述刻蚀腔体内壁涂SiCl4，避免SiCl4直接作用于该静电吸盘表面；步骤四、提供一刻蚀后的晶圆，对该晶圆背面进行清洗，使得该晶圆背面无聚合物的残留。