[发明专利]一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法有效

申请号：	201811607497.8	申请日：	2018-12-27
公开（公告）号：	CN109585276B	公开（公告）日：	2021-06-15
发明（设计）人：	胡伟玲;聂钰节	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种改善多晶刻蚀腔体晶圆棍状缺陷方法
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【说明书】：

本发明提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，包括：刻蚀腔体和设于其内部用于固定晶圆的静电吸盘；对静电吸盘定期保养时针对静电吸盘进行多次顺时针擦拭使其表面平整；使刻蚀腔体在其内壁涂SiCl4时，挡片能够更紧密地贴合于静电吸盘，避免SiCl4更多的粘在静电吸盘上，从而污染晶圆背面；对刻蚀后的晶圆背面进行清洗，去掉其背面的聚合物，避免在晶圆进入酸槽进行湿法刻蚀时聚合物被洗入酸槽，在晶圆正面形成棍状缺陷的现象，有效提高半导了体产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法。

背景技术

目前在大规模晶圆制造过程中，刻蚀腔体内部的静电吸盘是在真空大气压下保证晶圆固定的最佳部件，因刻蚀腔体的环境需求是要将SiCl4涂在腔体及裸露的静电吸盘上，制程过程中硅片的背面是受静电吸盘的作用固定住的，所涂的SiCl4会有余量粘在硅片背面的现象，刻蚀后的晶片进入酸槽后，粘在背面的聚合物经过氢氟酸清洗后，聚合物被洗入槽中，后经热硫酸清洗后会反粘到晶圆表面，在晶圆的正面形成棍状缺陷，且整片晶圆的缺陷是酸槽制程结束受机械手臂方向往上提的水流方向，因此极大地影响了产品的良率。

为此，需要一种可以改善此棍状缺陷的可靠性方法，避免晶圆背面带来的缺陷源而使得晶圆正面被污染从而导致产品良率的下降。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，用于解决现有技术中由于刻蚀后的晶片进入酸槽后，粘在背面的聚合物经过氢氟酸清洗后，聚合物被洗入槽中，后经热硫酸后会反粘到晶圆表面，形成棍状缺陷的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善多晶硅刻蚀腔体晶圆棍状缺陷的方法，该方法至少包括：步骤一、提供一刻蚀腔体，该刻蚀腔体内部设有用于固定晶圆的静电吸盘；步骤二、对所述刻蚀腔体进行定期保养，在进行该定期保养的同时针对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭使所述静电吸盘表面平整；步骤三、对所述刻蚀腔体进行自清洁，提供一控片，将所述控片贴合于所述静电吸盘表面并覆盖所述静电吸盘表面的全部，之后在所述刻蚀腔体内壁涂SiCl4，避免SiCl4直接作用于该静电吸盘表面；步骤四、提供一刻蚀后的晶圆，对该晶圆背面进行清洗，使得该晶圆背面无刻蚀后聚合物的残留。

优选地，所述步骤一中的刻蚀腔体采用先进腔体环境控制系统。

优选地，所述步骤二中对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭的方式为：进行30次规律性的顺时针擦拭。

优选地，所述步骤二中对所述静电吸盘进行多次顺时针擦拭的方式为人工擦拭。

优选地，所述步骤二中定期保养的周期为500-550小时。

优选地，步骤三中在所述刻蚀腔体内壁涂SiCl4使该刻蚀腔体内壁形成一层SiCl4薄膜，用于吸附刻蚀过程中产生的污染颗粒。

优选地，所述步骤四中的刻蚀后的晶圆为进行了干法刻蚀后的晶圆。

优选地，该方法还包括步骤五、将清洗后的晶圆放入酸槽进行湿法刻蚀。

优选地，在进行所述步骤五后对该晶圆正面进行棍状缺陷的检测。

优选地，步骤五中对所述晶圆进行湿法刻蚀过程包括：使用氢氟酸对该晶圆正面进行清洗。

优选地，步骤五中对所述晶圆进行湿法刻蚀过程包括：使用氢氟酸对该晶圆正面进行清洗后，再用硫酸清洗。

优选地，所述步骤三中对所述刻蚀腔体进行自清洁的方式是一边对晶圆进行刻蚀一边涂SiCl4。

优选地，所述步骤二对所中述刻蚀腔体进行定期保养的周期大于步骤三中对该刻蚀腔体进行自清洁的周期。