[发明专利]栅极调控AlGaN基金属-半导体-金属紫外探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种栅极调控AlGaN基金属‑半导体‑金属紫外探测器及制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底，所述衬底上方由内至外依次设有AlN缓冲层、AlGaN渐变缓冲层、紫外光吸收层、及与紫外光吸收层接触的金属叉指电极；所述紫外光吸收层的上表面设有栅极绝缘层，栅极绝缘层设置于金属叉指电极之间，栅极绝缘层上设有栅电极，栅电极与金属叉指电极不接触，栅电极和栅极绝缘层形成整体，实现对探测器特性的调控。本发明通过栅极绝缘层及栅电极，利用外加电场，调控器件内电场，提高载流子的迁移速度和收集效率，从而提高探测器的响应度，降低响应时间。

主权项

1.一种栅极调控AlGaN基金属‑半导体‑金属紫外探测器，包括衬底(1)，所述衬底(1)上方由内至外依次设有AlN缓冲层(2)、AlGaN渐变缓冲层(3)、Al_xGa_1‑xN紫外光吸收层(4)、及与Al_xGa_1‑xN紫外光吸收层(4)接触的金属叉指电极(5)；所述Al_xGa_1‑xN紫外光吸收层(4)的上表面设有栅极绝缘层(6)，栅极绝缘层(6)设置于金属叉指电极(5)之间，栅极绝缘层(6)上设有栅电极(7)，栅电极(7)与金属叉指电极(5)不接触，栅电极(7)和栅极绝缘层(6)形成整体，实现对探测器特性的调控。