[发明专利]晶体管的制作方法及全包围栅极器件结构有效
| 申请号： | 201811602315.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370306B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 秦晓珊 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 董晓盈 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的制作方法及全包围栅极的器件结构，包括：基底由下至上依次包括底层衬底、绝缘层和顶层衬底；在顶层衬底形成源极区和漏极区，在源极区和漏极区之间形成沟道区，源极区至漏极区的方向为第一方向，垂直第一方向为第二方向；在第二方向上，沟道区两侧形成贯穿顶层衬底的孔；通过孔刻蚀孔下方及沟道区下方的绝缘层，以形成空腔，空腔与孔连通；形成栅极结构，覆盖所述沟道区上表面、所述孔和所述空腔靠近沟道区的壁面，所述栅极结构包括栅介质层及覆盖所述栅介质层的栅极，从而在沟道区的两侧及上下表面形成全包围的栅极结构，增加栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压，同时提高电流Ids，简化MOS晶体管的栅极绝缘层的生长工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 包围 栅极 器件 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
