[发明专利]包含电阻随机存取存储器和选择器的基本单元和包含该单元的级和级的基体及其制造方法在审
申请号: | 201811601600.8 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN110034110A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 加布里尔·纳瓦罗 | 申请(专利权)人: | 法国原子能及替代能源委员会 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/105;H01L27/115;H01L45/00 |
代理公司: | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人: | 曾海艳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及基本单元,其包括与易失性选择器装置串联安装的非易失性电阻随机存取存储器,存储器包括上电极、下电极和由第一活性材料制成的层;存储器通过在上和下电极之间施加阈值电压从高电阻状态进入低电阻状态,选择器装置包括上电极、下电极和由第二活性材料制成的层;选择器装置通过在上和下电极之间施加阈值电压从高电阻状态进入低电阻状态,当流过选择器装置的电流或上和下电极的端子处的电压分别返回到保持电流或电压以下,则选择器装置返回高电阻状态;单元包括一件式导体元件,其包括:具有与存储器活性层的下表面接触的一个面以形成存储器的下电极的第一分支,具有与选择器活性层的上表面接触的一个面以形成存储器的上电极的第二分支。 | ||
搜索关键词: | 下电极 存储器 选择器装置 高电阻状态 电极 电阻随机存取存储器 低电阻状态 活性材料 基本单元 阈值电压 活性层 选择器 施加 串联安装 导体元件 非易失性 上表面 下表面 一件式 返回 制造 | ||
【主权项】:
1.基本单元(500),其包括与易失性选择器装置(511)串联安装的非易失性电阻随机存取存储器(510),所述存储器(510)包括:‑电阻随机存取存储器的上电极(509),‑电阻随机存取存储器的下电极,‑由第一活性材料制成的层,称为存储器活性层(508),所述存储器(510)通过在电阻随机存取存储器的上电极(509)和电阻随机存取存储器的下电极之间施加阈值电压而从高电阻状态进入低电阻状态,所述选择器装置(511),包括:‑选择器装置的上电极,‑选择器装置的下电极(501),‑由第二活性材料制成的层,称为选择器活性层(503b),所述选择器装置(511)通过在选择器装置的上电极和选择器装置的下电极(501)之间施加阈值电压而从高电阻状态进入低电阻状态,一旦流过所述选择器装置(511)的电流或选择器装置的上电极和选择器装置(501)的下电极的端子处的电压分别返回到保持电流或电压以下,则所述选择器装置(511)返回进入高电阻状态,所述单元(500)的特征在于,它包括一件式导体元件(504),该一件式导体元件包括:‑基本上为长方体形状的第一分支(504a),所述第一分支(504a)具有与存储器活性层(508)的下表面接触的一个面,以形成电阻随机存取存储器的下电极,‑基本上为长方体形状的第二分支(504b),所述第二分支(504b)具有与选择器活性层(503b)的上表面接触的一个面,以形成选择器装置(511)的上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国原子能及替代能源委员会,未经法国原子能及替代能源委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811601600.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的