[发明专利]一种射频微系统中大功率组件的双层相变散热器制作方法

摘要

本发明公开了一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法，具体处理包括如下步骤：101）散热转接板制作步骤、102）射频芯片转接板制作步骤、103）键合步骤；本发明提供新的带走大量热量，达到降低芯片温度的一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器及其制作方法。

主权项

1.一种用于射频微系统中大功率组件的双层相变散热器的制作方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）散热转接板制作步骤：散热转接板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作TSV孔，TSV孔的底部呈倒圆台或倒圆锥形；散热转接板上表面采用沉积氧化硅、沉积氮化硅或者直接热氧化方法中的一种，形成绝缘层；绝缘层上通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺中的一种，制作种子层；减薄散热转接板下表面，露出TSV孔的底部； CMP工艺或减薄工艺去除TSV孔的部分底部形成开口，开口大小在0.1um到100um之间；散热转接板下表面通过光刻电镀工艺制作键合焊盘；散热转接板下表面的TSV孔区域通过光刻、刻蚀工艺制作空腔，空腔包裹TSV孔区域；通过光刻和刻蚀工艺在空腔底部靠近内侧壁处制作盲孔；减薄散热转接板上表面将盲孔变成通孔；102）射频芯片转接板制作步骤：射频芯片转接板上表面通过光刻和电镀工艺制作焊接焊盘；射频芯片转接板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作凹槽，凹槽深度小于转接板厚度；射频芯片转接板上表面采用沉积氧化硅、沉积氮化硅或者直接热氧化方法中的一种，形成绝缘层；将射频芯片用共晶键合工艺设置在凹槽中；减薄射频芯片转接板下表面，射频芯片转接板的厚度控制在10um到500um；射频芯片转接板下表面通过光刻、电镀工艺制作焊接焊盘；射频芯片转接板下表面对应凹槽的位置通过光刻、刻蚀工艺设置凹坑，凹坑的宽度小于凹槽的宽度；103）键合步骤：散热转接板包括顶层散热转接板和底层散热转接板，顶层散热转接板、底层散热转接板与射频芯片转接板键合，键合温度控制在100到300度；用刀片切割或者干法刻蚀工艺得到双层相变散热结构；通过微型针孔把相变材料注入到TSV孔内。