[发明专利]封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811592443.9 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110416095B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王博汉;胡毓祥;郭宏瑞;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在载体上方形成缓冲介电层，以及在缓冲介电层上方形成第一介电层和第一再分布线。第一再分布线位于第一介电层中。该方法还包括对第一介电层实施平坦化以使第一介电层的顶面齐平，在第一再分布线上方形成电连接至第一再分布线的金属桩，并且将金属桩密封在密封材料中。密封材料接触第一介电层的平坦化顶面的顶面。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装件的方法，包括：在载体上方形成缓冲介电层，在所述缓冲介电层上方形成第一介电层和第一再分布线，其中，所述第一再分布线位于所述第一介电层中；对所述第一介电层实施平坦化以使所述第一介电层的顶面齐平，从而形成所述第一介电层的平坦化顶面；在所述第一再分布线上方形成金属桩，其中，所述金属桩电连接至所述第一再分布线；以及将所述金属桩密封在密封材料中，其中，所述密封材料接触所述第一介电层的所述平坦化顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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