[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811592439.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370485B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 方冬;肖魁;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种VDMOS，包括：半导体基底和形成于基底内的体区以及形成于体区内的源区；沟槽贯穿源区和体区并延伸至基底，各沟槽栅结构包括形成于沟槽内壁的栅介电层和填充于沟槽内的栅极层；在源区上和各沟槽栅结构上依次叠设有第一层间介质层、第一金属层、第二层间介质层和第二金属层；第一金属层和第二金属层中的其中一层为栅极金属层且通过栅区接触孔与各栅极层连接，另一层作为源极金属层且通过源区接触孔与体区连接，各元胞结构中位于源区接触孔同侧的沟槽栅结构的数量N≥2。元胞结构内源区接触孔同侧的沟槽栅结构的数量N≥2，可在沟槽栅占据面积较小的情况下获取较大的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811592439.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发热区可调式的红外线灯管
- 下一篇：通信方法、装置、设备及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
